LPCVD 镀膜机

产品特点 1.成热的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术:
2.具备多种镀膜技术：多层复合膜，掺杂多晶硅技术;
3.专利快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
4.快速自适应压力闭环控制技术；
5.架构完整，性能突出的MES/CCRM系统；
6.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
7.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

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产品应用

适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon工艺电池，LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备。热氧和淀积Poly层两个工艺合二为一能够大幅度提高产能，同时兼容i/d -Poly生长工艺。

产品参数

项目	技术指标
成膜种类	SiOx, i/d-Poly-Si
装片尺寸	垂直装片方式：2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)
膜厚均匀性	Si0x均匀性：厚度1-3nm可调，精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度； Poly均匀性：厚度50-200nm可调，精度1nm,用抛光片测试Poly厚度，片内：≤4%,;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)
UP-TIME	≥95%
工作温度范围	400-750℃
温度控制	6点控温，内外双模控制
升温方式	自动斜率升温及快速恒温功能
降温方式	最新专利技术，6温区分段控制主动降温炉体
恒温区精度及长度	±1℃/2800mm(550-700℃)
单点温度稳定度	1±℃/6H
升温时间	RT→750℃≤45min
降温速率	≥5℃/min
温度控制	双模精确控制
系统极限真空度	<3Pa
系统漏气率	停泵关阀后压力升率<2Pa/min
压力控制方式	快速调整全自动闭环
工艺控制式	工艺过程全自动控制，多重安全连锁报警
人机交互界面	LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
MES/CCRM	具有